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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single243NQ080
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

243NQ080 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
243NQ080
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-243NQ080
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 80V 240A D-67
Description détaillée
Emballage
D-67 HALF-PAK
Fiche technique
243NQ, R Series.pdf
État RoHS
En stock: 5330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 243NQ080
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 243NQ080 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 243NQ080

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 860 mV @ 240 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur D-67 HALF-PAK  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte D-67 HALF-PAK  
Emballer Bulk  
Type de montage Chassis Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 6 mA @ 80 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 240A  
Capacité à Vr, F 5500pF @ 5V, 1MHz  
Numéro de produit de base 243NQ080  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 243NQ080

Attributs du produit 243NQ080 DSEI120-06A 1N5811US APT30SCD65B
Modèle de produit 243NQ080 DSEI120-06A 1N5811US APT30SCD65B
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division IXYS Microchip Technology Microsemi Corporation
Numéro de produit de base 243NQ080 DSEI120 1N5811 -
Package / Boîte D-67 HALF-PAK TO-247-2 SQ-MELF, B TO-247-2
Emballer Bulk Tube Bulk Bulk
Courant - Rectifié moyenne (Io) 240A 77A 3A 46A
Courant - fuite, inverse à Vr 6 mA @ 80 V 3 mA @ 600 V 5 µA @ 50 V 600 µA @ 650 V
Package composant fournisseur D-67 HALF-PAK TO-247AD B, SQ-MELF TO-247
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 600 V 150 V 650 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Type de montage Chassis Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Séries - FRED - -
Capacité à Vr, F 5500pF @ 5V, 1MHz - 60pF @ 10V, 1MHz 945pF @ 1V, 1MHz
La technologie Schottky Standard Standard SiC (Silicon Carbide) Schottky
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 860 mV @ 240 A 1.3 V @ 70 A 875 mV @ 4 A 1.8 V @ 30 A

Fiche technique 243NQ080 PDF

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Feuilles de données
243NQ, R Series.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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