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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single20ETF10S
20ETF10S Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

20ETF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
20ETF10S
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-20ETF10S
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB
Description détaillée
Emballage
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique
20ETFyyyS Series.pdf
En stock: 4210

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 20ETF10S
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETF10S Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 20ETF10S

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.31 V @ 20 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK)  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 400 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A  
Capacité à Vr, F -  
Numéro de produit de base 20ETF10  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF10S

Attributs du produit 20ETF10S 20ETS08FP 20ETF02 20ETS12
Modèle de produit 20ETF10S 20ETS08FP 20ETF02 20ETS12
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
La technologie Standard Standard Standard Standard
Numéro de produit de base 20ETF10 20ETS08 20ETF02 20ETS12
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Courant - Rectifié moyenne (Io) 20A 20A 20A 20A
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.31 V @ 20 A 1.1 V @ 20 A 1.3 V @ 20 A 1.1 V @ 20 A
Courant - fuite, inverse à Vr 100 µA @ 1000 V 100 µA @ 800 V 100 µA @ 200 V 100 µA @ 1200 V
Type de montage Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Emballer Tube Tube Tube Tube
Package / Boîte TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 Full Pack TO-220-2 TO-220-2
Package composant fournisseur TO-263AB (D²PAK) TO-220AC Full Pack TO-220AC TO-220AC
Température d'utilisation - Jonction -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C -40°C ~ 150°C
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 800 V 200 V 1200 V
Capacité à Vr, F - - - -
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 400 ns - 160 ns -

Fiche technique 20ETF10S PDF

Téléchargez 20ETF10S PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour 20ETF10S - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
20ETFyyyS Series.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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20ETF10S

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-20ETF10S

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