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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1N6479-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1N6479-E3/96 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
1N6479-E3/96
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-1N6479-E3/96
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
Description détaillée
Emballage
DO-213AB, MELF (Glass)
Fiche technique
1N6478 thru 1N6484.pdf
État RoHS
En stock: 226910

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1N6479-E3/96
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6479-E3/96 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N6479-E3/96

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-213AB  
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Séries SUPERECTIFIER®  
Package / Boîte DO-213AB, MELF (Glass)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 100 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base 1N6479  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N6479-E3/96

Attributs du produit 1N6479-E3/96 1N6622US 1N6492 1N6621US
Modèle de produit 1N6479-E3/96 1N6622US 1N6492 1N6621US
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Microchip Technology Microchip Technology
Numéro de produit de base 1N6479 1N6622 1N6492 1N6621
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 660 V 45 V 440 V
Capacité à Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz 10pF @ 10V, 1MHz 450pF @ 5V, 1MHz 10pF @ 10V, 1MHz
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.1 V @ 1 A 1.4 V @ 1.2 A 680 mV @ 4 A 1.4 V @ 1.2 A
Température d'utilisation - Jonction -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
La vitesse Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Package / Boîte DO-213AB, MELF (Glass) SQ-MELF, A TO-205AF Metal Can SQ-MELF, A
Type de montage Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Séries SUPERECTIFIER® - Military, MIL-PRF-19500/567 -
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1.2A 3.6A 1.2A
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 100 V 500 nA @ 660 V 2 mA @ 45 V 500 nA @ 440 V
La technologie Standard Standard Schottky Standard
Package composant fournisseur DO-213AB A-MELF TO-205AF (TO-39) A-MELF

Fiche technique 1N6479-E3/96 PDF

Téléchargez 1N6479-E3/96 PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour 1N6479-E3/96 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Autres documents connexes
Packaging Information.pdf
Feuilles de données
1N6478 thru 1N6484.pdf
Assemblage / origine PCN
Mult Dec 24/Dec/2019.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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