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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1N4151TR
1N4151TR Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1N4151TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
1N4151TR
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-1N4151TR
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
Description détaillée
Emballage
DO-204AH, DO-35, Axial
Fiche technique
1N4151.pdf
État RoHS
En stock: 1273350

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1N4151TR
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4151TR Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 1N4151TR

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 50 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 75 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-35 (DO-204AH)  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max)  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 50 nA @ 50 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 150mA  
Capacité à Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base 1N4151  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151TR

Attributs du produit 1N4151TR 1N4151 1N4151TR 1N4151
Modèle de produit 1N4151TR 1N4151 1N4151TR 1N4151
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Microchip Technology Fairchild Semiconductor Diotec Semiconductor
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Package / Boîte DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial DO-204AH, DO-35, Axial
Tension - inverse (Vr) (max) 75 V 75 V 75 V 50 V
Emballer Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Box
Capacité à Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz - 2pF @ 0V, 1MHz 4pF @ 0V, 1MHz
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Température d'utilisation - Jonction 175°C (Max) -65°C ~ 150°C 175°C (Max) -50°C ~ 175°C
Séries - - - -
Temps de recouvrement inverse (trr) 4 ns 2 ns 4 ns 4 ns
Package composant fournisseur DO-35 (DO-204AH) DO-35 DO-35 (DO-204AH) DO-35
Courant - Rectifié moyenne (Io) 150mA 200mA 150mA 200mA
La technologie Standard Standard Standard Standard
Courant - fuite, inverse à Vr 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V 50 nA @ 50 V
Numéro de produit de base 1N4151 1N4151 - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA 1 V @ 50 mA

Fiche technique 1N4151TR PDF

Téléchargez 1N4151TR PDF DataSheets et Documentation Vishay General Semiconductor - Diodes Division pour 1N4151TR - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Feuilles de données
1N4151.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
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Amérique États-Unis 5
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-1N4151TR

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