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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single123NQ100
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

123NQ100 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Fabricant Modèle de produit
123NQ100
Fabricant
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modèle de produit
32D-123NQ100
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 100V 120A D-67
Description détaillée
Emballage
D-67 HALF-PAK
Fiche technique
123NQ Series.pdf
État RoHS
En stock: 4320

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 123NQ100
Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 123NQ100 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 123NQ100

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 910 mV @ 120 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur D-67 HALF-PAK  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte D-67 HALF-PAK  
Emballer Bulk  
Type de montage Chassis Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 100 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 120A  
Capacité à Vr, F 2650pF @ 5V, 1MHz  
Numéro de produit de base 123NQ100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Vishay General Semiconductor - Diodes Division 123NQ100

Attributs du produit 123NQ100 123NQ080 123NQ100R 123NQ080R
Modèle de produit 123NQ100 123NQ080 123NQ100R 123NQ080R
Fabricant Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division IR
Type de montage Chassis Mount Chassis Mount Chassis Mount -
Courant - fuite, inverse à Vr 3 mA @ 100 V 3 mA @ 80 V 3 mA @ 100 V -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 910 mV @ 120 A 910 mV @ 120 A 910 mV @ 120 A -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Séries - - - -
Package composant fournisseur D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK -
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 80 V 100 V -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 120A 120A 120A -
Capacité à Vr, F 2650pF @ 5V, 1MHz 2650pF @ 5V, 1MHz 2650pF @ 5V, 1MHz -
Emballer Bulk Bulk Bulk -
Numéro de produit de base 123NQ100 123NQ080 123NQ100 -
Package / Boîte D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK D-67 HALF-PAK -
La technologie Schottky Schottky Schottky -

Fiche technique 123NQ100 PDF

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Feuilles de données
123NQ Series.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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