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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSI2301A
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SI2301A - UMW

Fabricant Modèle de produit
SI2301A
Fabricant
UMW
Allelco Modèle de produit
32D-SI2301A
Modèle ECAD
Description des pièces
20V 2.8A 400MW 142MR@2.5V,2A 1V@
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
UMW SI2301A.pdf
État RoHS
En stock: 321060

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SI2301A
UMW - SI2301A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à UMW - SI2301A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant UMW  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries UMW  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de UMW SI2301A

Attributs du produit SI2301A SI2300DS-T1-GE3 SI2301A-TP SI2301BDS-T1-GE3
Modèle de produit SI2301A SI2300DS-T1-GE3 SI2301A-TP SI2301BDS-T1-GE3
Fabricant UMW Vishay Siliconix Micro Commercial Co Vishay Siliconix
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 2.8A, 4.5V 68mOhm @ 2.9A, 4.5V 120mOhm @ 2.8A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23-3 (TO-236) SOT-23 SOT-23-3 (TO-236)
Dissipation de puissance (max) 400mW (Ta) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) 1.25W 700mW (Ta)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 405 pF @ 10 V 320 pF @ 15 V 880 pF @ 6 V 375 pF @ 6 V
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension drain-source (Vdss) 20 V 30 V 20 V 20 V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 900mV @ 250µA 950mV @ 250µA
Séries UMW TrenchFET® - TrenchFET®
Vgs (Max) ±12V ±12V ±8V ±8V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
type de FET P-Channel N-Channel P-Channel P-Channel
Fonction FET - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2.8A (Ta) 3.6A (Tc) 2.8A (Tj) 2.2A (Ta)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 10 V 14.5 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V

Fiche technique SI2301A PDF

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Feuilles de données
UMW SI2301A.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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