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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTP65H300G4LSG
Transphorm
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TP65H300G4LSG - Transphorm

Fabricant Modèle de produit
TP65H300G4LSG
Fabricant
Transphorm
Allelco Modèle de produit
32D-TP65H300G4LSG
Modèle ECAD
Description des pièces
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Description détaillée
Emballage
3-PowerDFN
Fiche technique
TP65H300G4LSG.pdf
En stock: 11758

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TP65H300G4LSG
Transphorm - TP65H300G4LSG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Transphorm - TP65H300G4LSG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Transphorm  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA  
Vgs (Max) ±18V  
La technologie GaNFET (Gallium Nitride)  
Package composant fournisseur 3-PQFN (8x8)  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 21W (Tc)  
Package / Boîte 3-PowerDFN  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Transphorm TP65H300G4LSG

Attributs du produit TP65H300G4LSG TP65H050WS TP6740SVQ TP6508QG
Modèle de produit TP65H300G4LSG TP65H050WS TP6740SVQ TP6508QG
Fabricant Transphorm Transphorm TOPRO TOPRO
La technologie GaNFET (Gallium Nitride) GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 500µA 4.8V @ 700µA - -
Package composant fournisseur 3-PQFN (8x8) TO-247-3 - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 8V 12V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.6 nC @ 8 V 24 nC @ 10 V - -
Package / Boîte 3-PowerDFN TO-247-3 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 312mOhm @ 5A, 8V 60mOhm @ 22A, 10V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 400 V 1000 pF @ 400 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.5A (Tc) 34A (Tc) - -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±18V ±20V - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V 650 V - -
Type de montage Surface Mount Through Hole - -
Dissipation de puissance (max) 21W (Tc) 119W (Tc) - -

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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