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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTPN5R203PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TPN5R203PL,LQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TPN5R203PL,LQ
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TPN5R203PL,LQ
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 38A 8TSON
Description détaillée
Emballage
8-PowerVDFN
Fiche technique
TPN5R203PL,LQ.pdf
En stock: 132470

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TPN5R203PL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage - TPN5R203PL,LQ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TPN5R203PL,LQ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 200µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-TSON Advance (3.1x3.1)  
Séries U-MOSIX-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 19A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 610mW (Ta), 61W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerVDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 175°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1975 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc)  
Numéro de produit de base TPN5R203  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL,LQ

Attributs du produit TPN5R203PL,LQ TPN8R903NL,LQ TPN4R712MD,L1Q TPN4R303NL,L1Q
Modèle de produit TPN5R203PL,LQ TPN8R903NL,LQ TPN4R712MD,L1Q TPN4R303NL,L1Q
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Package composant fournisseur 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1) 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 38A (Tc) 20A (Tc) 36A (Tc) 40A (Tc)
Séries U-MOSIX-H U-MOSVIII-H U-MOSVI U-MOSVIII-H
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 610mW (Ta), 61W (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) 42W (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc)
Numéro de produit de base TPN5R203 TPN8R903 TPN4R712 TPN4R303
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1975 pF @ 15 V 820 pF @ 15 V 4300 pF @ 10 V 1400 pF @ 15 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 9.8 nC @ 4.5 V 65 nC @ 5 V 14.8 nC @ 10 V
Package / Boîte 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN
Température de fonctionnement 175°C 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 19A, 10V 8.9mOhm @ 10A, 10V 4.7mOhm @ 18A, 4.5V 4.3mOhm @ 20A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 200µA 2.3V @ 100µA 1.2V @ 1mA 2.3V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 20 V 30 V

Mode de transport

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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