Spécifications techniques TPCF8107,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TPCF8107,LF
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation) | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA | |
Vgs (Max) | +20V, -25V | |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Package composant fournisseur | VS-8 (2.9x1.5) | |
Séries | U-MOSVI | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | |
Emballage | Cut Tape (CT) | |
Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | |
Autres noms | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
|
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Type de montage | Surface Mount | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V | |
type de FET | P-Channel | |
Fonction FET | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | |
Description détaillée | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8107,LF
Attributs du produit | ||||
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Modèle de produit | TPCF8107,LF | TPCF8108LF | TPCF8108 | TPCF8108(TE85L,F,M) |
Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora | TOSHIBA/TUBE | TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 970pF @ 10V | - | - | - |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
Tension drain-source (Vdss) | 30V | - | - | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 4.5V, 10V | - | - | - |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V | - | - | - |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA | - | - | - |
Package composant fournisseur | VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
Package / Boîte | 8-SMD, Flat Lead | - | - | - |
Autres noms | TPCF8107,LFCMCT TPCF8107,LFCMCT-ND TPCF8107LFCMCT TPCF8107LFCMCT-ND TPCF8107LFCT |
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Description détaillée | P-Channel 30V 6A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-8 (2.9x1.5) | - | - | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | - | - | - |
Emballage | Cut Tape (CT) | - | - | - |
Vgs (Max) | +20V, -25V | - | - | - |
Type de montage | Surface Mount | - | - | - |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) | - | - | - |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) | - | - | - |
Fonction FET | - | - | - | - |
type de FET | P-Channel | - | - | - |
Dissipation de puissance (max) | 700mW (Ta) | - | - | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 3A, 10V | - | - | - |
Séries | U-MOSVI | - | - | - |
Téléchargez TPCF8107,LF PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour TPCF8107,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.
Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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