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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTPC6110(TE85L,F,M)
TPC6110(TE85L,F,M) Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TPC6110(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TPC6110(TE85L,F,M)
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TPC6110(TE85L,F,M)
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6
Description détaillée
Emballage
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 5120

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TPC6110(TE85L,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6110(TE85L,F,M) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TPC6110(TE85L,F,M)

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur VS-6 (2.9x2.8)  
Séries U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2.2A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta)  
Numéro de produit de base TPC6110  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TPC6110(TE85L,F,M)

Attributs du produit TPC6110(TE85L,F,M) TPC6111(TE85L,F,M) TPC6111(TE85L) TPC6109-H
Modèle de produit TPC6110(TE85L,F,M) TPC6111(TE85L,F,M) TPC6111(TE85L) TPC6109-H
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Séries U-MOSVI U-MOSV - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Fonction FET - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 10 V 700 pF @ 10 V - -
Package / Boîte SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V - -
Numéro de produit de base TPC6110 TPC6111 - -
Dissipation de puissance (max) 700mW (Ta) 700mW (Ta) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2.2A, 10V 40mOhm @ 2.8A, 4.5V - -
Package composant fournisseur VS-6 (2.9x2.8) VS-6 (2.9x2.8) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.5A (Ta) 5.5A (Ta) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 100µA 1V @ 1mA - -

Fiche technique TPC6110(TE85L,F,M) PDF

Téléchargez TPC6110(TE85L,F,M) PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour TPC6110(TE85L,F,M) - Toshiba Semiconductor and Storage.

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DK OBS NOTICE.pdf
Feuilles de données
Mosfets Prod Guide.pdf

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Amérique États-Unis 5
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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