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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK8P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK8P65W,RQ - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK8P65W,RQ
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK8P65W,RQ
Modèle ECAD
Description des pièces
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
TK8P65W,RQ.pdf
État RoHS
En stock: 50240

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK8P65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage - TK8P65W,RQ Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK8P65W,RQ

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur DPAK  
Séries DTMOSIV  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.9A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 300 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK8P65W,RQ

Attributs du produit TK8P65W,RQ TK8P65W,RQ(S) TK8S06K3L MOS TK8P60V
Modèle de produit TK8P65W,RQ TK8P65W,RQ(S) TK8S06K3L MOS TK8P60V
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 7.8A (Ta) - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
type de FET N-Channel - - -
Séries DTMOSIV - - -
Package composant fournisseur DPAK - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 3.9A, 10V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 300 V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 300µA - - -
Température de fonctionnement 150°C - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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