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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK4P55DA(T6RSS-Q)
TK4P55DA(T6RSS-Q) Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK4P55DA(T6RSS-Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK4P55DA(T6RSS-Q)
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK4P55DA(T6RSS-Q)
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
TK4P55DA(T6RSS-Q).pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4690

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK4P55DA(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage - TK4P55DA(T6RSS-Q) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK4P55DA(T6RSS-Q)

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur D-Pak  
Séries π-MOSVII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 550 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base TK4P55  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)

Attributs du produit TK4P55DA(T6RSS-Q) TK4P55D(T6RSS-Q) TK4P55DA TK4Q60DA,Q(O)
Modèle de produit TK4P55DA(T6RSS-Q) TK4P55D(T6RSS-Q) TK4P55DA TK4Q60DA,Q(O)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Package composant fournisseur D-Pak D-Pak - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Tension drain-source (Vdss) 550 V 550 V - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 25 V 490 pF @ 25 V - -
Dissipation de puissance (max) 80W (Tc) 80W (Tc) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (Max) ±30V ±30V - -
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
Fonction FET - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA 4.4V @ 1mA - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.45Ohm @ 1.8A, 10V 1.88Ohm @ 2A, 10V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 4A (Ta) - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Numéro de produit de base TK4P55 TK4P55 - -
Séries π-MOSVII π-MOSVII - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -

Mode de transport

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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