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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK49N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK49N65W5,S1F - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK49N65W5,S1F
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK49N65W5,S1F
Modèle ECAD
Description des pièces
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Description détaillée
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
TK49N65W5,S1F.pdf
État RoHS
En stock: 5857

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK49N65W5,S1F
Toshiba Semiconductor and Storage - TK49N65W5,S1F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK49N65W5,S1F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-247  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 24.6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)  
Package / Boîte TO-247-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 300 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 650 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49.2A (Ta)  
Numéro de produit de base TK49N65  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK49N65W5,S1F

Attributs du produit TK49N65W5,S1F TK4A55DA TK49N65W5.S1F(S) TK45S06K3L
Modèle de produit TK49N65W5,S1F TK4A55DA TK49N65W5.S1F(S) TK45S06K3L
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 49.2A (Ta) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 300 V - - -
Package composant fournisseur TO-247 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 24.6A, 10V - - -
Type de montage Through Hole - - -
Emballer Tube - - -
Tension drain-source (Vdss) 650 V - - -
Numéro de produit de base TK49N65 - - -
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc) - - -
Fonction FET - - - -
Séries - - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 2.5mA - - -
type de FET N-Channel - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Température de fonctionnement 150°C - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V - - -
Package / Boîte TO-247-3 - - -

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Italie 5
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Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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