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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK2Q60D(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK2Q60D(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK2Q60D(Q)
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK2Q60D(Q)
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
État RoHS
En stock: 129820

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK2Q60D(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage - TK2Q60D(Q) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK2Q60D(Q)

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur PW-MOLD2  
Séries π-MOSVII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc)  
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Emballer Bulk  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta)  
Numéro de produit de base TK2Q60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK2Q60D(Q)

Attributs du produit TK2Q60D(Q) TK2P90E,RQ TK290A65Y,S4X TK2P60D(TE16L1)
Modèle de produit TK2Q60D(Q) TK2P90E,RQ TK290A65Y,S4X TK2P60D(TE16L1)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage NQ)
Type de montage Through Hole Surface Mount Through Hole -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 2A (Ta) 2A (Ta) 11.5A (Tc) -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V -
Vgs (th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA 4V @ 200µA 4V @ 450µA -
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Fonction FET - - - -
Numéro de produit de base TK2Q60 - TK290A65 -
Emballer Bulk Tape & Reel (TR) Tube -
Package composant fournisseur PW-MOLD2 DPAK TO-220SIS -
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Full Pack -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 280 pF @ 25 V 500 pF @ 25 V 730 pF @ 300 V -
Tension drain-source (Vdss) 600 V 900 V 650 V -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Dissipation de puissance (max) 60W (Tc) 80W (Tc) 35W (Tc) -
Séries π-MOSVII - DTMOSV -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V 5.9Ohm @ 1A, 10V 290mOhm @ 5.8A, 10V -

Fiche technique TK2Q60D(Q) PDF

Téléchargez TK2Q60D(Q) PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour TK2Q60D(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Feuilles de données
Mosfets Prod Guide.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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