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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK25A20D,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK25A20D,S5X - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK25A20D,S5X
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK25A20D,S5X
Modèle ECAD
Description des pièces
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
TK25A20D,S5X.pdf
État RoHS
En stock: 57530

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK25A20D,S5X
Toshiba Semiconductor and Storage - TK25A20D,S5X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK25A20D,S5X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220SIS  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 12.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 100 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 200 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D,S5X

Attributs du produit TK25A20D,S5X TK25A10K3STA4QM TK25A10K TK25A20DS5X
Modèle de produit TK25A20D,S5X TK25A10K3STA4QM TK25A10K TK25A20DS5X
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TOS TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Emballer Tube - - -
Tension drain-source (Vdss) 200 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Type de montage Through Hole - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 12.5A, 10V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Package composant fournisseur TO-220SIS - - -
Séries - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Ta) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement 150°C - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2550 pF @ 100 V - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - - -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc) - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TK25A20D,S5X

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32D-TK25A20D,S5X

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