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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK15A60U(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK15A60U(STA4,Q,M)
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK15A60U(STA4,Q,M)
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 600V 15A TO220SIS
Description détaillée
Emballage
TO-220-3 Full Pack
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 4710

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage - TK15A60U(STA4,Q,M) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK15A60U(STA4,Q,M)

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220SIS  
Séries DTMOSII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 600 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta)  
Numéro de produit de base TK15A60  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK15A60U(STA4,Q,M)

Attributs du produit TK15A60U(STA4,Q,M) TK15A60U(STA4QM) TK15A60D TK15A65U
Modèle de produit TK15A60U(STA4,Q,M) TK15A60U(STA4QM) TK15A60D TK15A65U
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Type de montage Through Hole - - -
Package / Boîte TO-220-3 Full Pack - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V - - -
Package composant fournisseur TO-220SIS - - -
Séries DTMOSII - - -
Emballer Tube - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 7.5A, 10V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 15A (Ta) - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V - - -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc) - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 950 pF @ 10 V - - -
type de FET N-Channel - - -
Tension drain-source (Vdss) 600 V - - -
Numéro de produit de base TK15A60 - - -

Fiche technique TK15A60U(STA4,Q,M) PDF

Téléchargez TK15A60U(STA4,Q,M) PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour TK15A60U(STA4,Q,M) - Toshiba Semiconductor and Storage.

Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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