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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTK100E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TK100E08N1,S1X - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
TK100E08N1,S1X
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-TK100E08N1,S1X
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
TK100E08N1,S1X.pdf
État RoHS
En stock: 17747

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TK100E08N1,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage - TK100E08N1,S1X Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - TK100E08N1,S1X

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries U-MOSVIII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 255W (Tc)  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 40 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 80 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta)  
Numéro de produit de base TK100E08  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage TK100E08N1,S1X

Attributs du produit TK100E08N1,S1X TK100E10N1,S1X TK100A10N1.S4X TK100E06N1 MOS
Modèle de produit TK100E08N1,S1X TK100E10N1,S1X TK100A10N1.S4X TK100E06N1 MOS
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tension drain-source (Vdss) 80 V 100 V - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Emballer Tube Tube - -
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100A (Ta) 100A (Ta) - -
Fonction FET - - - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 50A, 10V 3.4mOhm @ 50A, 10V - -
Dissipation de puissance (max) 255W (Tc) 255W (Tc) - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Séries U-MOSVIII-H U-MOSVIII-H - -
Numéro de produit de base TK100E08 TK100E10 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 40 V 8800 pF @ 50 V - -

Mode de transport

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L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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