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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSSM6N57NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6N57NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6N57NU,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6N57NU,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
SSM6N57NU,LF.pdf
État RoHS
En stock: 308840

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6N57NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N57NU,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N57NU,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-µDFN (2x2)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 2A, 4.5V  
Puissance - Max 1W  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V  
Fonction FET -  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SSM6N57  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N57NU,LF

Attributs du produit SSM6N57NU,LF SSM6N61NU,LF SSM6N58NU SSM6N48FULF
Modèle de produit SSM6N57NU,LF SSM6N61NU,LF SSM6N58NU SSM6N48FULF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Numéro de produit de base SSM6N57 SSM6N61 - -
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A 4A - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 2A, 4.5V 33mOhm @ 4A, 4.5V - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4nC @ 4.5V 3.6nC @ 4.5V - -
Séries - - - -
Fonction FET - Logic Level Gate, 1.5V Drive - -
Package composant fournisseur 6-µDFN (2x2) 6-UDFNB (2x2) - -
Tension drain-source (Vdss) 30V 20V - -
Puissance - Max 1W 2W - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V 410pF @ 10V - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -

Fiche technique SSM6N57NU,LF PDF

Téléchargez SSM6N57NU,LF PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM6N57NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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