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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSSM6N37FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SSM6N37FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6N37FE,LM
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6N37FE,LM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A 2-2N1D
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
SSM6N37FE,LM.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 113000

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Quantité
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Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SSM6N37FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N37FE,LM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N37FE,LM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ES6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 10V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SSM6N37  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37FE,LM

Attributs du produit SSM6N37FE,LM SSM6N37FU,LF SSM6N37FU MOS SSM6N37FELM(T)
Modèle de produit SSM6N37FE,LM SSM6N37FU,LF SSM6N37FU MOS SSM6N37FELM(T)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Séries - - - -
Package composant fournisseur ES6 US6 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V - -
Numéro de produit de base SSM6N37 SSM6N37 - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 250mA 250mA (Ta) - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 12pF @ 10V 12pF @ 10V - -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Puissance - Max 150mW 300mW - -

Fiche technique SSM6N37FE,LM PDF

Téléchargez SSM6N37FE,LM PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM6N37FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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