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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSSM6N15AFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.
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SSM6N15AFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6N15AFE,LM
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6N15AFE,LM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
État RoHS
Notre certification
En stock: 630650

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Quantité
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Mode de paiement
Notre certification

Spécifications

Spécifications techniques SSM6N15AFE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N15AFE,LM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N15AFE,LM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ES6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13.5pF @ 3V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 30V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA  
Configuration 2 N-Channel (Dual)  
Numéro de produit de base SSM6N15  

Classifications environnementales et d'exportation

ATTRIBUT LA DESCRIPTION
État RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut de portée
ECCN EAR99
HTSUS

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N15AFE,LM

Attributs du produit SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFELAPM(T) SSM6N15AFERSOYM(T) SSM6N09FU
Modèle de produit SSM6N15AFE,LM SSM6N15AFELAPM(T) SSM6N15AFERSOYM(T) SSM6N09FU
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V - - -
Configuration 2 N-Channel (Dual) - - -
Numéro de produit de base SSM6N15 - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Package composant fournisseur ES6 - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 - - -
Tension drain-source (Vdss) 30V - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA - - -
Fonction FET Logic Level Gate - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA - - -
Séries - - - -
Puissance - Max 150mW - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13.5pF @ 3V - - -

Fiche technique SSM6N15AFE,LM PDF

Téléchargez SSM6N15AFE,LM PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM6N15AFE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage.

Emballage PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf
Feuilles de données
Mosfets Prod Guide.pdf

Mode de transport

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méthode de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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