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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxSSM6L35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6L35FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6L35FE,LM
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6L35FE,LM
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
État RoHS
En stock: 590500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6L35FE,LM
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L35FE,LM Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6L35FE,LM

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ES6  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V  
Puissance - Max 150mW  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs -  
Fonction FET Logic Level Gate  
Tension drain-source (Vdss) 20V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA, 100mA  
Configuration N and P-Channel  
Numéro de produit de base SSM6L35  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L35FE,LM

Attributs du produit SSM6L35FE,LM SSM6L14FE(TE85L,F) SSM6L36FE,LM SSM6L14FE TE85L,F
Modèle de produit SSM6L35FE,LM SSM6L14FE(TE85L,F) SSM6L36FE,LM SSM6L14FE TE85L,F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 180mA, 100mA 800mA (Ta), 720mA (Ta) 500mA, 330mA -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs - 2nC @ 4.5V, 1.76nC @ 4.5V 1.23nC @ 4V -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -
Numéro de produit de base SSM6L35 SSM6L14 SSM6L36 -
Tension drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
Puissance - Max 150mW 150mW (Ta) 150mW -
Package composant fournisseur ES6 ES6 ES6 -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Séries - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 4V 240mOhm @ 500mA, 4.5V, 300mOhm @ 400mA, 4.5V 630mOhm @ 200mA, 5V -
Fonction FET Logic Level Gate Logic Level Gate, 1.5V Drive Logic Level Gate -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA 1V @ 1mA -
Configuration N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9.5pF @ 3V 90pF @ 10V, 110pF @ 10V 46pF @ 10V -
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 SOT-563, SOT-666 -

Fiche technique SSM6L35FE,LM PDF

Téléchargez SSM6L35FE,LM PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM6L35FE,LM - Toshiba Semiconductor and Storage.

Emballage PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf
Feuilles de données
Mosfets Prod Guide.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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