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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6K504NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6K504NU,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6K504NU,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 9A 6UDFNB
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
SSM6K504NU,LF.pdf
État RoHS
En stock: 368010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K504NU,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K504NU,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFNB (2x2)  
Séries U-MOSVII  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta)  
Numéro de produit de base SSM6K504  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K504NU,LF

Attributs du produit SSM6K504NU,LF SSM6K513NU,LF SSM6K513NU SSM6K504NUL(T)
Modèle de produit SSM6K504NU,LF SSM6K513NU,LF SSM6K513NU SSM6K504NUL(T)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 4A, 10V 8.9mOhm @ 4A, 10V - -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.8 nC @ 4.5 V 7.5 nC @ 4.5 V - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad - -
Numéro de produit de base SSM6K504 SSM6K513 - -
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9A (Ta) 15A (Ta) - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TA) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA 2.1V @ 100µA - -
Séries U-MOSVII U-MOSIX-H - -
Package composant fournisseur 6-UDFNB (2x2) 6-UDFNB (2x2) - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 15 V 1130 pF @ 15 V - -

Mode de transport

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Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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