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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6K217FE,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6K217FE,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6K217FE,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6
Description détaillée
Emballage
SOT-563, SOT-666
Fiche technique
SSM6K217FE,LF.pdf
État RoHS
En stock: 309540

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6K217FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6K217FE,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur ES6  
Séries U-MOSVII-H  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 1A, 8V  
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)  
Package / Boîte SOT-563, SOT-666  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.2 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 8V  
Tension drain-source (Vdss) 40 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta)  
Numéro de produit de base SSM6K217  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K217FE,LF

Attributs du produit SSM6K217FE,LF SSM6K204FE SSM6K22FE(TE85L,F) SSM6K211FE(TE85L)
Modèle de produit SSM6K217FE,LF SSM6K204FE SSM6K22FE(TE85L,F) SSM6K211FE(TE85L)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Package / Boîte SOT-563, SOT-666 - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 195mOhm @ 1A, 8V - - -
type de FET N-Channel - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA - - -
Fonction FET - - - -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta) - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 1.1 nC @ 4.2 V - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 10 V - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 8V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.8A (Ta) - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
Séries U-MOSVII-H - - -
Numéro de produit de base SSM6K217 - - -
Tension drain-source (Vdss) 40 V - - -
Package composant fournisseur ES6 - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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