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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM6J505NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6J505NU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6J505NU,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6J505NU,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
Description détaillée
Emballage
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique
SSM6J505NU,LF.pdf
État RoHS
En stock: 166780

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6J505NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J505NU,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J505NU,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±6V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 6-UDFNB (2x2)  
Séries U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.6 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 12 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta)  
Numéro de produit de base SSM6J505  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J505NU,LF

Attributs du produit SSM6J505NU,LF SSM6J503NU,LF SSM6J503NU SSM6J507NU
Modèle de produit SSM6J505NU,LF SSM6J503NU,LF SSM6J503NU SSM6J507NU
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Vgs (Max) ±6V ±8V - -
Séries U-MOSVI U-MOSVI - -
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1W (Ta) - -
type de FET P-Channel P-Channel - -
Numéro de produit de base SSM6J505 SSM6J503 - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 10 V 840 pF @ 10 V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 12A (Ta) 6A (Ta) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 37.6 nC @ 4.5 V 12.8 nC @ 10 V - -
Tension drain-source (Vdss) 12 V 20 V - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA 1V @ 1mA - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.2V, 4.5V 1.5V, 4.5V - -
Package composant fournisseur 6-UDFNB (2x2) 6-UDFNB (2x2) - -
Fonction FET - - - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Package / Boîte 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 4A, 4.5V 32.4mOhm @ 3A, 4.5V - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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