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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM6J412TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM6J412TU,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM6J412TU,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM6J412TU,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Description détaillée
Emballage
6-SMD, Flat Leads
Fiche technique
SSM6J412TU,LF.pdf
État RoHS
En stock: 310190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM6J412TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J412TU,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J412TU,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA  
Vgs (Max) ±8V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur UF6  
Séries U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.7mOhm @ 3A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta)  
Numéro de produit de base SSM6J412  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J412TU,LF

Attributs du produit SSM6J412TU,LF SSM6J402TU SSM6J414TU.LF SSM6J501
Modèle de produit SSM6J412TU,LF SSM6J402TU SSM6J414TU.LF SSM6J501
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage VBSEMI TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Séries U-MOSVI - - -
Package composant fournisseur UF6 - - -
Numéro de produit de base SSM6J412 - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.5V, 4.5V - - -
Fonction FET - - - -
Package / Boîte 6-SMD, Flat Leads - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Vgs (Max) ±8V - - -
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 1mA - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42.7mOhm @ 3A, 4.5V - - -
type de FET P-Channel - - -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Température de fonctionnement 150°C - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4A (Ta) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840 pF @ 10 V - - -
Tension drain-source (Vdss) 20 V - - -

Mode de transport

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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