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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM3K15FS,LF
SSM3K15FS,LF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM3K15FS,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM3K15FS,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM3K15FS,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 30V 100MA SSM
Description détaillée
Emballage
SC-75, SOT-416
Fiche technique
Mosfets Prod Guide.pdf
En stock: 4010

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM3K15FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K15FS,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K15FS,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SSM  
Séries π-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V  
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta)  
Package / Boîte SC-75, SOT-416  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.8 pF @ 3 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta)  
Numéro de produit de base SSM3K15  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K15FS,LF

Attributs du produit SSM3K15FS,LF SSM3K15FV SSM3K15FST5LFTCT SSM3K15FLF(T)
Modèle de produit SSM3K15FS,LF SSM3K15FV SSM3K15FST5LFTCT SSM3K15FLF(T)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Texas Instruments TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 10mA, 4V - - -
Package / Boîte SC-75, SOT-416 - - -
Dissipation de puissance (max) 200mW (Ta) - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 100mA (Ta) - - -
Package composant fournisseur SSM - - -
Séries π-MOSVI - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 4V - - -
type de FET N-Channel - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Fonction FET - - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 7.8 pF @ 3 V - - -
Numéro de produit de base SSM3K15 - - -

Fiche technique SSM3K15FS,LF PDF

Téléchargez SSM3K15FS,LF PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM3K15FS,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

Emballage PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf
PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf
Feuilles de données
Mosfets Prod Guide.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Toshiba Semiconductor and Storage
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