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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleSSM3J332R,LF
SSM3J332R,LF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

SSM3J332R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
SSM3J332R,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-SSM3J332R,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Description détaillée
Emballage
SOT-23-3 Flat Leads
Fiche technique
SSM3J332R,LF.pdf
État RoHS
En stock: 489650

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques SSM3J332R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J332R,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3J332R,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23F  
Séries U-MOSVI  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta)  
Package / Boîte SOT-23-3 Flat Leads  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta)  
Numéro de produit de base SSM3J332  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J332R,LF

Attributs du produit SSM3J332R,LF SSM3J331R,LF SSM3J334R,LF SSM3J332RLF
Modèle de produit SSM3J332R,LF SSM3J331R,LF SSM3J334R,LF SSM3J332RLF
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Dissipation de puissance (max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta) -
Numéro de produit de base SSM3J332 SSM3J331 SSM3J334 -
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA 1V @ 1mA 2V @ 100µA -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6A (Ta) 4A (Ta) 4A (Ta) -
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V 55mOhm @ 3A, 4.5V 71mOhm @ 3A, 10V -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 560 pF @ 15 V 630 pF @ 10 V 280 pF @ 15 V -
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 10V 1.5V, 4.5V 4V, 10V -
Vgs (Max) ±12V ±8V ±20V -
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Package composant fournisseur SOT-23F SOT-23F SOT-23F -
Package / Boîte SOT-23-3 Flat Leads SOT-23-3 Flat Leads SOT-23-3 Flat Leads -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Séries U-MOSVI U-MOSVI U-MOSVI -
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 4.5 V 10.4 nC @ 4.5 V 5.9 nC @ 10 V -

Fiche technique SSM3J332R,LF PDF

Téléchargez SSM3J332R,LF PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour SSM3J332R,LF - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence / EOL
Multiple Devices 01/Jul/2014.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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