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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséRN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RN1422TE85LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
RN1422TE85LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-RN1422TE85LF
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
RN1422TE85LF.pdf
État RoHS
En stock: 306430

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RN1422TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - RN1422TE85LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur S-Mini  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms  
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms  
Puissance - Max 200 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 300 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 800 mA  
Numéro de produit de base RN1422  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage RN1422TE85LF

Attributs du produit RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
Modèle de produit RN1422TE85LF RN1417 RN141STE61 RN1426
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora Rohm Semiconductor TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V - - -
Package composant fournisseur S-Mini - EMD2 -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 800 mA - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 65 @ 100mA, 1V - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 50mA - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR) -
Transistor Type NPN - Pre-Biased - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 2.2 kOhms - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - - -
Résistance - Base (R1) 2.2 kOhms - - -
Séries - - - -
Puissance - Max 200 mW - - -
Fréquence - Transition 300 MHz - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - SC-79, SOD-523 -
Numéro de produit de base RN1422 - RN141 -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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