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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséRN1114,LF
RN1114,LF Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RN1114,LF - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
RN1114,LF
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-RN1114,LF
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Description détaillée
Emballage
SC-75, SOT-416
Fiche technique
RN1114,LF.pdf
En stock: 1229300

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RN1114,LF
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1114,LF Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - RN1114,LF

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur SSM  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms  
Résistance - Base (R1) 1 kOhms  
Puissance - Max 100 mW  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte SC-75, SOT-416  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Fréquence - Transition 250 MHz  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA  
Numéro de produit de base RN1114  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage RN1114,LF

Attributs du produit RN1114,LF RN1119MFV RN1117MFV RN1113MFV(TPL3)
Modèle de produit RN1114,LF RN1119MFV RN1117MFV RN1113MFV(TPL3)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Transistor Type NPN - Pre-Biased - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 50 V - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Numéro de produit de base RN1114 - - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V - - -
Puissance - Max 100 mW - - -
Package / Boîte SC-75, SOT-416 - - -
Package composant fournisseur SSM - - -
Séries - - - -
Fréquence - Transition 250 MHz - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA - - -
Résistance - Base (R1) 1 kOhms - - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA - - -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 100 mA - - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 10 kOhms - - -

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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RN1114,LF

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-RN1114,LF

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