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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - bipolaire (bjt) - simple, pré-biaiséRN1101CT(TPL3)
RN1101CT(TPL3) Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

RN1101CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
RN1101CT(TPL3)
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-RN1101CT(TPL3)
Modèle ECAD
Description des pièces
TRANS PREBIAS NPN 20V 0.05A CST3
Description détaillée
Emballage
SC-101, SOT-883
Fiche technique
RN110x.pdf
En stock: 3790

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques RN1101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101CT(TPL3) Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - RN1101CT(TPL3)

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 20 V  
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA  
Transistor Type NPN - Pre-Biased  
Package composant fournisseur CST3  
Séries -  
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms  
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Puissance - Max 50 mW  
Package / Boîte SC-101, SOT-883  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Type de montage Surface Mount  
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V  
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 mA  
Numéro de produit de base RN1101  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage RN1101CT(TPL3)

Attributs du produit RN1101CT(TPL3) RN1101MFV,L3F RN1101 TE85L RN1101FS
Modèle de produit RN1101CT(TPL3) RN1101MFV,L3F RN1101 TE85L RN1101FS
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Courant - Collecteur (Ic) (max) 50 mA 100 mA - -
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V - -
Package / Boîte SC-101, SOT-883 SOT-723 - -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA 300mV @ 500µA, 5mA - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Package composant fournisseur CST3 VESM - -
Séries - - - -
Résistance - Base (R1) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - -
Courant - Collecteur Cutoff (Max) 500nA 500nA - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 20 V 50 V - -
Puissance - Max 50 mW 150 mW - -
Numéro de produit de base RN1101 RN1101 - -
Transistor Type NPN - Pre-Biased NPN - Pre-Biased - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Résistance - Base de l'émetteur (R2) 4.7 kOhms 4.7 kOhms - -

Fiche technique RN1101CT(TPL3) PDF

Téléchargez RN1101CT(TPL3) PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour RN1101CT(TPL3) - Toshiba Semiconductor and Storage.

PCN Obsolescence / EOL
EOL_X34_Oct_2014 Oct/2014.pdf
Feuilles de données
RN110x.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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