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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleCUS10S30,H3F
CUS10S30,H3F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

CUS10S30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
CUS10S30,H3F
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-CUS10S30,H3F
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 30V 1A USC
Description détaillée
Emballage
SC-76, SOD-323
Fiche technique
CUS10S30,H3F.pdf
État RoHS
En stock: 581500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage - CUS10S30,H3F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - CUS10S30,H3F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 230 mV @ 100 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 30 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur USC  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte SC-76, SOD-323  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 30 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A  
Capacité à Vr, F 135pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base CUS10S30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage CUS10S30,H3F

Attributs du produit CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS10F30H3F CUS10S30H3F
Modèle de produit CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS10F30H3F CUS10S30H3F
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Séries - - - -
Numéro de produit de base CUS10S30 CUS10S40 - -
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 30 V 150 µA @ 40 V - -
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 230 mV @ 100 mA 400 mV @ 500 mA - -
Package composant fournisseur USC USC - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
La technologie Schottky Schottky - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 1A 1A - -
Package / Boîte SC-76, SOD-323 SC-76, SOD-323 - -
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max) 125°C (Max) - -
Capacité à Vr, F 135pF @ 0V, 1MHz 120pF @ 0V, 1MHz - -
Tension - inverse (Vr) (max) 30 V 40 V - -

Fiche technique CUS10S30,H3F PDF

Téléchargez CUS10S30,H3F PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour CUS10S30,H3F - Toshiba Semiconductor and Storage.

Emballage PCN
Marking Chg 08/Feb/2016.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CUS10S30,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-CUS10S30,H3F

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