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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1SS417,L3M
1SS417,L3M Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1SS417,L3M - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
1SS417,L3M
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-1SS417,L3M
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA FSC
Description détaillée
Emballage
2-SMD, Flat Lead
Fiche technique
1SS417,L3M.pdf
État RoHS
Conforme à RoHS
En stock: 1137450

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS417,L3M Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS417,L3M

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 620 mV @ 50 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur fSC  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries -  
Package / Boîte 2-SMD, Flat Lead  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 40 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA  
Capacité à Vr, F 15pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base 1SS417  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage 1SS417,L3M

Attributs du produit 1SS417,L3M 1SS417 1SS416CT(TPL3) 1SS416L3M
Modèle de produit 1SS417,L3M 1SS417 1SS416CT(TPL3) 1SS416L3M
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
Courant - fuite, inverse à Vr 5 µA @ 40 V - - -
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 620 mV @ 50 mA - - -
Capacité à Vr, F 15pF @ 0V, 1MHz - - -
La technologie Schottky - - -
Température d'utilisation - Jonction 125°C (Max) - - -
Emballer Tape & Reel (TR) - - -
Tension - inverse (Vr) (max) 40 V - - -
Package composant fournisseur fSC - - -
Type de montage Surface Mount - - -
Séries - - - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA - - -
Numéro de produit de base 1SS417 - - -
Package / Boîte 2-SMD, Flat Lead - - -

Fiche technique 1SS417,L3M PDF

Téléchargez 1SS417,L3M PDF DataSheets et Documentation Toshiba Semiconductor and Storage pour 1SS417,L3M - Toshiba Semiconductor and Storage.

Numéro de pièce PCN
Part Number Change Due to Production Site Change J.pdf
Conception / spécification PCN
Mult Dev Marking Chgs 26/Oct/2020.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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1SS417,L3M Image

1SS417,L3M

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-1SS417,L3M

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