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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - Single1SS307E,L3F
1SS307E,L3F Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

1SS307E,L3F - Toshiba Semiconductor and Storage

Fabricant Modèle de produit
1SS307E,L3F
Fabricant
TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Allelco Modèle de produit
32D-1SS307E,L3F
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79
Description détaillée
Emballage
SC-79, SOD-523
Fiche technique
1SS307E,L3F.pdf
État RoHS
En stock: 1151700

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS307E,L3F Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Toshiba Semiconductor and Storage - 1SS307E,L3F

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 100 mA  
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur SC-79  
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed  
Séries -  
Package / Boîte SC-79, SOD-523  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max)  
Type de montage Surface Mount  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 nA @ 80 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA  
Capacité à Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz  
Numéro de produit de base 1SS307  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Toshiba Semiconductor and Storage 1SS307E,L3F

Attributs du produit 1SS307E,L3F 1SS307(TE85L,F) 1SS305-T1 1SS307(TE85L)
Modèle de produit 1SS307E,L3F 1SS307(TE85L,F) 1SS305-T1 1SS307(TE85L)
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage NEC HITACHI
La technologie Standard Standard - -
Package / Boîte SC-79, SOD-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - -
Courant - fuite, inverse à Vr 10 nA @ 80 V 10 nA @ 30 V - -
Capacité à Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz 6pF @ 0V, 1MHz - -
Séries - - - -
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.3 V @ 100 mA 1.3 V @ 100 mA - -
La vitesse Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed - -
Type de montage Surface Mount Surface Mount - -
Courant - Rectifié moyenne (Io) 100mA 100mA - -
Numéro de produit de base 1SS307 1SS307 - -
Tension - inverse (Vr) (max) 80 V 30 V - -
Température d'utilisation - Jonction 150°C (Max) 125°C (Max) - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Package composant fournisseur SC-79 S-Mini - -

Mode de transport

Délai de livraison

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage
32D-1SS307E,L3F

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