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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM680P06CP ROG
TSM680P06CP ROG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM680P06CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM680P06CP ROG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM680P06CP ROG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 60V 18A TO252
Description détaillée
Emballage
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique
TSM680P06.pdf
État RoHS
En stock: 54500

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM680P06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM680P06CP ROG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM680P06CP ROG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc)  
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM680  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CP ROG

Attributs du produit TSM680P06CP ROG TSM650P03CX TSM650P02CX RFG TSM650N15CR RLG
Modèle de produit TSM680P06CP ROG TSM650P03CX TSM650P02CX RFG TSM650N15CR RLG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±20V ±12V ±10V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 65mOhm @ 3A, 4.5V 65mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max) 20W (Tc) 1.56W (Tc) 1.56W (Tc) 96W (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 2.5V, 10V 1.8V, 4.5V 6V, 10V
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc) 4.1A (Tc) 4.1A (Tc) 24A (Tc)
Package / Boîte TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 8-PowerTDFN
Numéro de produit de base TSM680 TSM650 TSM650 TSM650
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 870 pF @ 30 V 810 pF @ 15 V 515 pF @ 10 V 1829 pF @ 75 V
Package composant fournisseur TO-252, (D-Pak) SOT-23 SOT-23 8-PDFN (5x6)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.4 nC @ 10 V 8 nC @ 4.5 V 5.1 nC @ 4.5 V 36 nC @ 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 900mV @ 250µA 800mV @ 250µA 4V @ 250µA
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 60 V 30 V 20 V 150 V
Séries - - - -

Fiche technique TSM680P06CP ROG PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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