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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM650P03CX RFG
TSM650P03CX RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM650P03CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM650P03CX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM650P03CX RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM650P03CX.pdf
État RoHS
En stock: 86050

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM650P03CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650P03CX RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM650P03CX RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM650  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P03CX RFG

Attributs du produit TSM650P03CX RFG TSM680P06CP TSM650N15CS TSM680P06CP ROG
Modèle de produit TSM650P03CX RFG TSM680P06CP TSM650N15CS TSM680P06CP ROG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 2.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 15 V 870 pF @ 30 V 1783 pF @ 75 V 870 pF @ 30 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 150 V 60 V
Numéro de produit de base TSM650 TSM680 TSM650 TSM680
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 250µA 2.2V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur SOT-23 TO-252, (D-Pak) 8-SOP TO-252, (D-Pak)
Fonction FET - - - -
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Séries - - - -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc) 20W (Tc) 2.2W (Ta), 12.5W (Tc) 20W (Tc)
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 4.1A (Tc) 18A (Tc) 4A (Ta), 9A (Tc) 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 4A, 10V 68mOhm @ 6A, 10V 65mOhm @ 4A, 10V 68mOhm @ 6A, 10V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6.4 nC @ 4.5 V 16.4 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 16.4 nC @ 10 V

Fiche technique TSM650P03CX RFG PDF

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Feuilles de données
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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