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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM480P06CH
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM480P06CH - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM480P06CH
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM480P06CH
Modèle ECAD
Description des pièces
-60V, -20A, SINGLE P-CHANNEL POW
Description détaillée
Emballage
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Fiche technique
TSM480P06.pdf
État RoHS
En stock: 52770

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM480P06CH
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM480P06CH Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM480P06CH

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-251S (I-PAK SL)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 8A, 10V  
Dissipation de puissance (max) -  
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak  
Emballer Tube  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM480  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM480P06CH

Attributs du produit TSM480P06CH TSM4436CS RLG TSM4436CS TSM4806CS RLG
Modèle de produit TSM480P06CH TSM4436CS RLG TSM4436CS TSM4806CS RLG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Température de fonctionnement -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±8V
type de FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 60 V 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1250 pF @ 30 V 1100 pF @ 30 V 1100 pF @ 30 V 961 pF @ 15 V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc) 8A (Ta) 8A (Ta) 28A (Ta)
Dissipation de puissance (max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2W (Ta)
Package composant fournisseur TO-251S (I-PAK SL) 8-SOP 8-SOP 8-SOP
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-251-3 Stub Leads, IPak 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Séries - - - -
Numéro de produit de base TSM480 TSM4436 TSM4436 TSM4806
Type de montage Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 8A, 10V 36mOhm @ 4.6A, 10V 36mOhm @ 4.6A, 10V 20mOhm @ 20A, 4.5V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 22.4 nC @ 10 V 10.5 nC @ 4.5 V 16 nC @ 4.5 V 12.3 nC @ 4.5 V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Fiche technique TSM480P06CH PDF

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Feuilles de données
TSM480P06.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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