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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM2307CX RFG
TSM2307CX RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM2307CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM2307CX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM2307CX RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM2307CX.pdf
État RoHS
En stock: 230330

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM2307CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2307CX RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2307CX RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 30 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
type de FET P-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM2307  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM2307CX RFG

Attributs du produit TSM2307CX RFG TSM2305CX RFG TSM2303CX RFG TSM2308CX RFG
Modèle de produit TSM2307CX RFG TSM2305CX RFG TSM2303CX RFG TSM2308CX RFG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 700mW (Ta) 1.25W (Ta)
Fonction FET - - - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc) 3.2A (Ta) 1.3A (Ta) 3A (Ta)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 565 pF @ 30 V 990 pF @ 10 V 565 pF @ 10 V 511 pF @ 15 V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 10 nC @ 10 V 3.2 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 20 V 30 V 60 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
type de FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 3A, 10V 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 180mOhm @ 1.3A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numéro de produit de base TSM2307 TSM2305 TSM2303 TSM2308
Séries - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Max) ±20V ±8V ±20V ±20V

Fiche technique TSM2307CX RFG PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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