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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM2306CX RFG
TSM2306CX RFG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM2306CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM2306CX RFG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM2306CX RFG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM2306.pdf
État RoHS
En stock: 188930

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM2306CX RFG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2306CX RFG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta)  
Numéro de produit de base TSM2306  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM2306CX RFG

Attributs du produit TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
Modèle de produit TSM2306CX RFG TSM2308CX RFG TSM2303CX RFG TSM230N06CP
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Séries - - - -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 555 pF @ 15 V 511 pF @ 15 V 565 pF @ 10 V 1680 pF @ 25 V
Tension drain-source (Vdss) 30 V 60 V 30 V 60 V
Numéro de produit de base TSM2306 TSM2308 TSM2303 TSM230
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 4.3 nC @ 4.5 V 3.2 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Dissipation de puissance (max) 1.25W (Ta) 1.25W (Ta) 700mW (Ta) 53W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 3.5A (Ta) 3A (Ta) 1.3A (Ta) 50A (Tc)
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57mOhm @ 3.5A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V 180mOhm @ 1.3A, 10V 23mOhm @ 20A, 10V
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23 SOT-23 TO-252, (D-Pak)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Fonction FET - - - -

Fiche technique TSM2306CX RFG PDF

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Feuilles de données
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Amérique États-Unis 5
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L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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