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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM210N02CX
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM210N02CX - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM210N02CX
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM210N02CX
Modèle ECAD
Description des pièces
20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée
Emballage
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique
TSM210N02CX.pdf
État RoHS
En stock: 115400

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM210N02CX
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N02CX Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM210N02CX

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA  
Vgs (Max) ±10V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-23  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 4A, 4.5V  
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc)  
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 10 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V  
Tension drain-source (Vdss) 20 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.7A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM210  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM210N02CX

Attributs du produit TSM210N02CX TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG TSM1NB60CW RPG
Modèle de produit TSM210N02CX TSM2301BCX RFG TSM210N02CX RFG TSM1NB60CW RPG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±10V ±8V ±10V ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 10 V 415 pF @ 6 V 600 pF @ 10 V 138 pF @ 25 V
Fonction FET - - - -
Package / Boîte TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-261-4, TO-261AA
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (Max) @ Id 0.8V @ 250µA 950mV @ 250µA 800mV @ 250µA 4.5V @ 250µA
Package composant fournisseur SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-223
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 5.8 nC @ 4.5 V 4.5 nC @ 4.5 V 4 nC @ 4.5 V 6.1 nC @ 10 V
Numéro de produit de base TSM210 - TSM210 TSM1NB60
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 4A, 4.5V 100mOhm @ 2.8A, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V 10Ohm @ 500mA, 10V
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 6.7A (Tc) 2.8A (Tc) 6.7A (Tc) 1A (Tc)
Température de fonctionnement 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Tc) 900mW (Ta) 1.56W (Tc) 39W (Tc)
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tension drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 600 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 10V
type de FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel

Fiche technique TSM210N02CX PDF

Téléchargez TSM210N02CX PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour TSM210N02CX - Taiwan Semiconductor Corporation.

Feuilles de données
TSM210N02CX.pdf

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Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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