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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM1N80CW RPG
TSM1N80CW RPG Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM1N80CW RPG - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM1N80CW RPG
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM1N80CW RPG
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223
Description détaillée
Emballage
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique
TSM1N80.pdf
État RoHS
En stock: 4390

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM1N80CW RPG
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N80CW RPG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM1N80CW RPG

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur SOT-223  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.6Ohm @ 150mA, 10V  
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Tc)  
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V  
Tension drain-source (Vdss) 800 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta)  
Numéro de produit de base TSM1N80  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N80CW RPG

Attributs du produit TSM1N80CW RPG TSM1NB60CW RPG TSM1N45CW RPG TSM1NB60CW
Modèle de produit TSM1N80CW RPG TSM1NB60CW RPG TSM1N45CW RPG TSM1NB60CW
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 300mA (Ta) 1A (Tc) 500mA (Tc) 1A (Tc)
Package / Boîte TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
Package composant fournisseur SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V 6.1 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss) 800 V 600 V 450 V 600 V
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Séries - - - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 10V 10V 10V 10V
Dissipation de puissance (max) 2.1W (Tc) 39W (Tc) 2W (Tc) 2.1W (Tc)
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4.5V @ 250µA 4.25V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Fonction FET - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21.6Ohm @ 150mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V 4.25Ohm @ 250mA, 10V 10Ohm @ 500mA, 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 25 V 138 pF @ 25 V 235 pF @ 25 V 138 pF @ 25 V
Numéro de produit de base TSM1N80 TSM1NB60 - TSM1
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

Fiche technique TSM1N80CW RPG PDF

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PCN Obsolescence / EOL
Mult Dev EOL 17/Sep/2017.pdf
Feuilles de données
TSM1N80.pdf

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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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