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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleTSM180N03PQ33
Taiwan Semiconductor Corporation
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

TSM180N03PQ33 - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
TSM180N03PQ33
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-TSM180N03PQ33
Modèle ECAD
Description des pièces
30V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée
Emballage
8-PowerWDFN
Fiche technique
TSM180N03PQ33.pdf
État RoHS
En stock: 73110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques TSM180N03PQ33
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM180N03PQ33 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - TSM180N03PQ33

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur 8-PDFN (3.1x3.1)  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 21W (Tc)  
Package / Boîte 8-PowerWDFN  
Emballer Tape & Reel (TR)  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Température de fonctionnement 150°C (TJ)  
Type de montage Surface Mount  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 25 V  
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 30 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)  
Numéro de produit de base TSM180  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation TSM180N03PQ33

Attributs du produit TSM180N03PQ33 TSM180N03CS TSM180P03CS RLG TSM170N06CH
Modèle de produit TSM180N03PQ33 TSM180N03CS TSM180P03CS RLG TSM170N06CH
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Séries - - - -
Fonction FET - - - -
Tension drain-source (Vdss) 30 V 30 V 30 V 60 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 4.5 V 4.1 nC @ 4.5 V 23 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V
type de FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Package / Boîte 8-PowerWDFN 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12A, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 18mOhm @ 8A, 10V 17mOhm @ 20A, 10V
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numéro de produit de base TSM180 TSM180 TSM180 TSM170
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 345 pF @ 25 V 345 pF @ 25 V 1730 pF @ 15 V 900 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Package composant fournisseur 8-PDFN (3.1x3.1) 8-SOP 8-SOP TO-251 (IPAK)
Dissipation de puissance (max) 21W (Tc) 2.5W (Tc) 2.5W (Tc) 46W (Tc)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc) 9A (Tc) 10A (Tc) 38A (Tc)
Type de montage Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Emballer Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Température de fonctionnement 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique TSM180N03PQ33 PDF

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Feuilles de données
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Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
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Asie Inde 4
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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