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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR30L100CT
MBR30L100CT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR30L100CT - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
MBR30L100CT
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR30L100CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
MBR30L45CT, 60CT, 100CT.pdf
État RoHS
En stock: 5070

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR30L100CT
Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30L100CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30L100CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 770 mV @ 15 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A  
Numéro de produit de base MBR30  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L100CT

Attributs du produit MBR30L100CT MBR30H60CTG MBR30H45CTHE3/45 MBR30L60CTG
Modèle de produit MBR30L100CT MBR30H60CTG MBR30H45CTHE3/45 MBR30L60CTG
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation onsemi Vishay General Semiconductor - Diodes Division onsemi
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 175°C -65°C ~ 175°C -55°C ~ 150°C
Numéro de produit de base MBR30 MBR30H60 MBR30 MBR30L60
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 770 mV @ 15 A 620 mV @ 15 A 620 mV @ 15 A 620 mV @ 15 A
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220 TO-220-3 TO-220
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Courant - fuite, inverse à Vr 500 µA @ 100 V 300 µA @ 60 V 80 µA @ 45 V 350 µA @ 60 V
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 60 V 45 V 60 V
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Séries - SWITCHMODE™ Automotive, AEC-Q101 SWITCHMODE™
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A 15A 15A 15A
Emballer Tube Tube Tube Tube
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

Fiche technique MBR30L100CT PDF

Téléchargez MBR30L100CT PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour MBR30L100CT - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numéro de pièce PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
MBR30L45CT, 60CT, 100CT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
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MBR30L100CT

Taiwan Semiconductor Corporation
32D-MBR30L100CT

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