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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - tableauxMBR30100CT
MBR30100CT Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

MBR30100CT - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
MBR30100CT
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-MBR30100CT
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
MBR3035CT - MBR30150CT.pdf
État RoHS
En stock: 40860

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques MBR30100CT
Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30100CT Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - MBR30100CT

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 940 mV @ 30 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V  
La technologie Schottky  
Package composant fournisseur TO-220AB  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Package / Boîte TO-220-3  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Tube  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Configuration diode 1 Pair Common Cathode  
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 100 V  
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A  
Numéro de produit de base MBR30100  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100CT

Attributs du produit MBR30100CT MBR30100CT MBR30100CT MBR30045CTL
Modèle de produit MBR30100CT MBR30100CT MBR30100CT MBR30045CTL
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology SMC Diode Solutions GeneSiC Semiconductor
Emballer Tube Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Courant - fuite, inverse à Vr 200 µA @ 100 V 10 µA @ 100 V 1 mA @ 100 V 5 mA @ 45 V
Package composant fournisseur TO-220AB TO-220AB TO-220AB Twin Tower
Numéro de produit de base MBR30100 - MBR30100 -
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Chassis Mount
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 Twin Tower
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 940 mV @ 30 A 850 mV @ 15 A 850 mV @ 15 A 600 mV @ 150 A
La technologie Schottky Schottky Schottky Schottky
Tension - inverse (Vr) (max) 100 V 100 V 100 V 45 V
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Configuration diode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Séries - - - -
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) 30A 30A - 150A
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C

Fiche technique MBR30100CT PDF

Téléchargez MBR30100CT PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour MBR30100CT - Taiwan Semiconductor Corporation.

Numéro de pièce PCN
Part Number Update 1/Jan/2021.pdf
Emballage PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
MBR3035CT - MBR30150CT.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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MBR30100CT

Taiwan Semiconductor Corporation
32D-MBR30100CT

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