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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsDiodes - redresseurs - SingleHER308G
HER308G Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

HER308G - Taiwan Semiconductor Corporation

Fabricant Modèle de produit
HER308G
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Allelco Modèle de produit
32D-HER308G
Modèle ECAD
Description des pièces
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Description détaillée
Emballage
DO-201AD, Axial
Fiche technique
HER301G - HER308G.pdf
État RoHS
En stock: 102000

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques HER308G
Taiwan Semiconductor Corporation - HER308G Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Taiwan Semiconductor Corporation - HER308G

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Taiwan Semiconductor  
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 3 A  
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V  
La technologie Standard  
Package composant fournisseur DO-201AD  
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte DO-201AD, Axial  
Emballer Cut Tape (CT)  
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V  
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A  
Capacité à Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz  
Numéro de produit de base HER308  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Taiwan Semiconductor Corporation HER308G

Attributs du produit HER308G HER508 HER304G HER308G
Modèle de produit HER308G HER508 HER304G HER308G
Fabricant Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology Taiwan Semiconductor Corporation Yangjie Technology
Emballer Cut Tape (CT) Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Temps de recouvrement inverse (trr) 75 ns 75 ns 50 ns 75 ns
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - fuite, inverse à Vr 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 1000 V 10 µA @ 300 V 10 µA @ 1000 V
Capacité à Vr, F 35pF @ 4V, 1MHz 65pF @ 4V, 1MHz 60pF @ 4V, 1MHz 50pF @ 4V, 1MHz
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Séries - - - -
Tension - inverse (Vr) (max) 1000 V 1000 V 300 V 1000 V
La technologie Standard Standard Standard Standard
Température d'utilisation - Jonction -55°C ~ 150°C -65°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C
Tension - directe (Vf) (max) @ Si 1.7 V @ 3 A 1.7 V @ 5 A 1 V @ 3 A 1.7 V @ 3 A
Package / Boîte DO-201AD, Axial DO-201AD, Axial DO-201AD, Axial DO-201AD, Axial
Courant - Rectifié moyenne (Io) 3A 5A 3A 3A
Numéro de produit de base HER308 - HER304 -
Package composant fournisseur DO-201AD DO-201AD DO-201AD DO-201AD

Fiche technique HER308G PDF

Téléchargez HER308G PDF DataSheets et Documentation Taiwan Semiconductor Corporation pour HER308G - Taiwan Semiconductor Corporation.

Emballage PCN
Mult Dev Pkg/PN Chgs 4/Feb/2021.pdf
Feuilles de données
HER301G - HER308G.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Note:
Le tableau ci-dessus est pour référence uniquement.Il peut y avoir un certain biais de données pour les facteurs incontrôlables.
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HER308G

Taiwan Semiconductor Corporation
32D-HER308G

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