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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - SingleBUZ50A
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

BUZ50A - Solid State Inc.

Fabricant Modèle de produit
BUZ50A
Fabricant
Solid State Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-BUZ50A
Modèle ECAD
Description des pièces
TO 220 HV N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée
Emballage
TO-220-3
Fiche technique
BUZ50A.pdf
État RoHS
En stock: 14938

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques BUZ50A
Solid State Inc. - BUZ50A Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Solid State Inc. - BUZ50A

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Solid State Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) -  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-220  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs -  
Dissipation de puissance (max) -  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-220-3  
Emballer Bulk  
Température de fonctionnement -  
Type de montage Through Hole  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) -  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C -  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Solid State Inc. BUZ50A

Attributs du produit BUZ50A BUZ41A BUZ72A BUZ356
Modèle de produit BUZ50A BUZ41A BUZ72A BUZ356
Fabricant Solid State Inc. Harris Corporation Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Dissipation de puissance (max) - 75W (Tc) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs - 1.5Ohm @ 2.5A, 10V - -
Type de montage Through Hole Through Hole - -
Vgs (Max) - ±20V - -
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C - 4.5A (Tc) - -
Fonction FET - - - -
Température de fonctionnement - -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Package composant fournisseur TO-220 TO-220AB - -
Vgs (th) (Max) @ Id - 4V @ 1mA - -
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Séries - - * -
type de FET N-Channel N-Channel - -
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) - 10V - -
Package / Boîte TO-220-3 TO-220-3 - -
Emballer Bulk Bulk Bulk -

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Région Pays Heure logistique (jour)
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Brésil 7
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Royaume-Uni 4
Italie 5
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Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
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Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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Solid State Inc.
32D-BUZ50A

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