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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - Single2N6660
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

2N6660 - Solid State Inc.

Fabricant Modèle de produit
2N6660
Fabricant
Solid State Inc.
Allelco Modèle de produit
32D-2N6660
Modèle ECAD
Description des pièces
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Description détaillée
Emballage
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Fiche technique
2N6660.pdf
État RoHS
En stock: 7110

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques 2N6660
Solid State Inc. - 2N6660 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Solid State Inc. - 2N6660

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Solid State Inc.  
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±40V  
La technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Package composant fournisseur TO-39  
Séries -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V  
Dissipation de puissance (max) 6.25W (Tc)  
Package / Boîte TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Emballer Box  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
type de FET N-Channel  
Fonction FET -  
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V  
Tension drain-source (Vdss) 60 V  
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tc)  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Solid State Inc. 2N6660

Attributs du produit 2N6660 2N6660 2N6661 2N6661
Modèle de produit 2N6660 2N6660 2N6661 2N6661
Fabricant Solid State Inc. Microchip Technology Microchip Technology Vishay Siliconix
Tension drain-source (Vdss) 60 V 60 V 90 V 90 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V 4Ohm @ 1A, 10V
Package composant fournisseur TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
Package / Boîte TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
type de FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 24 V 50 pF @ 24 V 50 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
Séries - - - -
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
Dissipation de puissance (max) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Fonction FET - - - -
Emballer Box Bag Bag Tube
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tc) 410mA (Ta) 350mA (Tj) 860mA (Tc)
Vgs (Max) ±40V ±20V ±20V ±20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

Fiche technique 2N6660 PDF

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Feuilles de données
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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
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Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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