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AccueilCentre des produitsCapteurs, transducteursCapteurs optiques - PhotoInterrupters - Type de fente - sortie du transistorGP1S59
GP1S59 Image
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GP1S59 - Sharp Microelectronics

Fabricant Modèle de produit
GP1S59
Fabricant
Sharp Microelectronics
Allelco Modèle de produit
32D-GP1S59
Modèle ECAD
Description des pièces
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Description détaillée
Emballage
PCB Mount
Fiche technique
Cylindrical Battery Holders.pdf
En stock: 4810

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GP1S59
Sharp Microelectronics - GP1S59 Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Sharp Microelectronics - GP1S59

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant Sharp Microelectronics  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 35 V  
Type Unamplified  
Séries -  
Méthode de détection Through-Beam  
Distance de détection 0.165' (4.2mm)  
Temps de réponse 3µs, 4µs  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte PCB Mount  
Emballer Bulk  
Configuration de la sortie Phototransistor  
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C  
Type de montage Through Hole  
Courant - DC Forward (If) (Max) 50 mA  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20 mA  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Sharp Microelectronics GP1S59

Attributs du produit GP1S59 GP1S73P GP1S52VJ000F GP1S59J0000F
Modèle de produit GP1S59 GP1S73P GP1S52VJ000F GP1S59J0000F
Fabricant Sharp Microelectronics Sharp Microelectronics SHARP/Socle Technology SHARP/Socle Technology
Type Unamplified Unamplified Unamplified Unamplified
Courant - DC Forward (If) (Max) 50 mA 50 mA 50 mA 50 mA
Temps de réponse 3µs, 4µs 3µs, 4µs 3µs, 4µs 3µs, 4µs
Méthode de détection Through-Beam Through-Beam Through-Beam Through-Beam
Emballer Bulk Bulk Bulk Tube
Séries - - - -
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 35 V 35 V 35 V 35 V
Température de fonctionnement -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C -25°C ~ 85°C
Package / Boîte PCB Mount Module, Connector PCB Mount PCB Mount
Configuration de la sortie Phototransistor Phototransistor Phototransistor Phototransistor
Courant - Collecteur (Ic) (max) 20 mA 20 mA 20 mA 20 mA
Type de montage Through Hole Snap-In Through Hole Through Hole
Distance de détection 0.165' (4.2mm) 0.197' (5mm) 0.118' (3mm) 0.165' (4.2mm)

Fiche technique GP1S59 PDF

Téléchargez GP1S59 PDF DataSheets et Documentation Sharp Microelectronics pour GP1S59 - Sharp Microelectronics.

Feuilles de données
Cylindrical Battery Holders.pdf

Mode de transport

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
Royaume-Uni 4
Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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GP1S59

Sharp Microelectronics
32D-GP1S59

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