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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - IGBT - SingleGPA020A135MN-FD
SemiQ
L'image est à titre indicatif, voir les spécifications pour les détails du produit.

GPA020A135MN-FD - SemiQ

Fabricant Modèle de produit
GPA020A135MN-FD
Fabricant
SemiQ
Allelco Modèle de produit
32D-GPA020A135MN-FD
Modèle ECAD
Description des pièces
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
Description détaillée
Emballage
TO-3P-3, SC-65-3
Fiche technique
GPA020A135MN-FD.pdf
État RoHS
En stock: 5190

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Quantité

Spécifications

Spécifications techniques GPA020A135MN-FD
SemiQ - GPA020A135MN-FD Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à SemiQ - GPA020A135MN-FD

Attributs du produit Valeur des attributs  
Fabricant SemiQ  
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1350 V  
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 20A  
Condition de test 600V, 20A, 10Ohm, 15V  
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 25ns/175ns  
énergie de commutation 2.5mJ (on), 760µJ (off)  
Package composant fournisseur TO-3PN  
Séries -  
Temps de recouvrement inverse (trr) 425 ns  
Puissance - Max 223 W  
Attributs du produit Valeur des attributs  
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3  
Emballer Tube  
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)  
Type de montage Through Hole  
Type d'entrée Standard  
type de IGBT Trench Field Stop  
gate charge 180 nC  
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A  
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A  

Pièces avec des spécifications similaires

Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de SemiQ GPA020A135MN-FD

Attributs du produit GPA020A135MN-FD IRG4BC40UPBF IXYH50N120C3D1 GPA020A120MN-FD
Modèle de produit GPA020A135MN-FD IRG4BC40UPBF IXYH50N120C3D1 GPA020A120MN-FD
Fabricant SemiQ International Rectifier IXYS SemiQ
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Boîte TO-3P-3, SC-65-3 TO-220-3 TO-247-3 TO-3P-3, SC-65-3
Puissance - Max 223 W 160 W 625 W 223 W
Temps de recouvrement inverse (trr) 425 ns - 195 ns 425 ns
Emballer Tube Bulk Tube Tube
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max) 1350 V 600 V 1200 V 1200 V
type de IGBT Trench Field Stop - - Trench Field Stop
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 25ns/175ns 34ns/110ns 28ns/133ns 30ns/150ns
Package composant fournisseur TO-3PN TO-220AB TO-247 (IXTH) TO-3PN
Type d'entrée Standard Standard Standard Standard
Type de montage Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Séries - - GenX3™, XPT™ -
Courant - Collecteur (Ic) (max) 40 A 40 A 90 A 40 A
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 20A 2.1V @ 15V, 20A 4V @ 15V, 50A 2.5V @ 15V, 20A
énergie de commutation 2.5mJ (on), 760µJ (off) 320µJ (on), 350µJ (off) 3mJ (on), 1mJ (off) 2.8mJ (on), 480µJ (off)
Condition de test 600V, 20A, 10Ohm, 15V 480V, 20A, 10Ohm, 15V 600V, 50A, 5Ohm, 15V 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Courant - Collecteur pulsée (Icm) 60 A 160 A 210 A 60 A
gate charge 180 nC 150 nC 142 nC 210 nC

Fiche technique GPA020A135MN-FD PDF

Téléchargez GPA020A135MN-FD PDF DataSheets et Documentation SemiQ pour GPA020A135MN-FD - SemiQ.

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Feuilles de données
GPA020A135MN-FD.pdf

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Pays communs Référence du temps logistique
Région Pays Heure logistique (jour)
Amérique États-Unis 5
Brésil 7
L'Europe  Allemagne 5
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Italie 5
Océanie Australie 6
Nouvelle-Zélande 5
Asie Inde 4
Japon 4
Moyen-Orient Israël 6
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx
Frais d'expédition (kg) Référence DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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