Spécifications techniques GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group - GP1M018A020PG Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Global Power Technologies Group - GP1M018A020PG
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
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Fabricant | SemiQ | |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Vgs (Max) | ±30V | |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Package composant fournisseur | I-PAK | |
Séries | - | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9A, 10V | |
Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) | |
Emballage | Tube | |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Autres noms | 1560-1190-1 1560-1190-1-ND 1560-1190-5 |
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Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Attributs du produit | Valeur des attributs | |
---|---|---|
Type de montage | Through Hole | |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 25V | |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | |
type de FET | N-Channel | |
Fonction FET | - | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | |
Tension drain-source (Vdss) | 200V | |
Description détaillée | N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Les trois pièces sur la droite ont des spécifications similaires à celles de Global Power Technologies Group GP1M018A020PG
Attributs du produit | ||||
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Modèle de produit | GP1M018A020PG | GP1M008A025PG | GP1M003A090PH | GP1S092HCPIF |
Fabricant | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | Global Power Technologies Group | SHARP/Socle Technology |
type de FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 4V @ 250µA | - |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) | 8A (Tc) | 2.5A (Tc) | - |
Package / Boîte | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | 4-SMD |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 9A, 10V | 600 mOhm @ 4A, 10V | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V | - |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
Autres noms | 1560-1190-1 1560-1190-1-ND 1560-1190-5 |
1560-1166-1 1560-1166-1-ND 1560-1166-5 |
1560-1158-1 1560-1158-1-ND 1560-1158-5 |
- |
Tension drain-source (Vdss) | 200V | 250V | 900V | - |
Séries | - | - | - | - |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | Lead free / RoHS Compliant | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V | 10V | 10V | - |
Dissipation de puissance (max) | 94W (Tc) | 52W (Tc) | 94W (Tc) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 950pF @ 25V | 423pF @ 25V | 748pF @ 25V | - |
Type de montage | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
Vgs (Max) | ±30V | ±30V | ±30V | - |
Description détaillée | N-Channel 200V 18A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK | N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-PAK | - |
Fonction FET | - | - | - | - |
Package composant fournisseur | I-PAK | I-PAK | I-PAK | - |
Emballage | Tube | Tube | Tube | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 85°C |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V | 8.4nC @ 10V | 17nC @ 10V | - |
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Pays communs Référence du temps logistique | ||
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Région | Pays | Heure logistique (jour) |
Amérique | États-Unis | 5 |
Brésil | 7 | |
L'Europe | Allemagne | 5 |
Royaume-Uni | 4 | |
Italie | 5 | |
Océanie | Australie | 6 |
Nouvelle-Zélande | 5 | |
Asie | Inde | 4 |
Japon | 4 | |
Moyen-Orient | Israël | 6 |
Référence des frais d'expédition DHL et FedEx | |
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Frais d'expédition (kg) | Référence DHL (USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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