Spécifications
Spécifications techniques GDP30P120B
Global Power Technologies Group - GDP30P120B Spécifications techniques, attributs, paramètres et pièces avec des spécifications similaires à Global Power Technologies Group - GDP30P120B
| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Fabricant |
SemiQ |
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| Tension - Inverse de crête (max) |
Silicon Carbide Schottky |
|
| Tension - directe (Vf) (max) @ Si |
81A |
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| Tension - Ventilation |
TO-247-2 |
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| Séries |
Amp+™ |
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| État RoHS |
Tube |
|
| Temps de recouvrement inverse (trr) |
No Recovery Time > 500mA (Io) |
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| Résistance @ Si, F |
1790pF @ 1V, 1MHz |
|
| Polarisation |
TO-247-2 |
|
| Autres noms |
1560-1024-5 |
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| Attributs du produit |
Valeur des attributs
| |
| Température d'utilisation - Jonction |
0ns |
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| Type de montage |
Through Hole |
|
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) |
1 (Unlimited) |
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| Référence fabricant |
GDP30P120B |
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| Description élargie |
Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 81A Through Hole TO-247-2 |
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| Configuration diode |
100µA @ 1200V |
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| La description |
DIODE SCHOTTKY 1200V 81A TO247-2 |
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| Courant - fuite, inverse à Vr |
1.7V @ 30A |
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| Courant - Moyen redressé (Io) (par diode) |
1200V (1.2kV) |
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| Capacité à Vr, F |
-55°C ~ 135°C |
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Mode de transport
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| Pays communs Référence du temps logistique |
| Région |
Pays |
Heure logistique (jour) |
| Amérique |
États-Unis |
5 |
| Brésil |
7 |
| L'Europe |
Allemagne |
5 |
| Royaume-Uni |
4 |
| Italie |
5 |
| Océanie |
Australie |
6 |
| Nouvelle-Zélande |
5 |
| Asie |
Inde |
4 |
| Japon |
4 |
| Moyen-Orient |
Israël |
6 |
| Référence des frais d'expédition DHL et FedEx |
| Frais d'expédition (kg) |
Référence DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Note:
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GDPXA255A0E400Marvell Semiconductor, Inc.
SDM02M30LP3-7BDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 30V 100MA 2-XFDFN
RB055L-60TE25Rohm SemiconductorDIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDS
BYT54K-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1.25A SOD57
ESH1C-E3/5ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
GDPXA255A0E200Intel
PMEG2010BEA,115Nexperia USA Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323
HFA15TB60PBFInternational RectifierDIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
V8P10HM3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
ER3GA_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A SMB